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Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Discos duros internos

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SKU: HD34651194EAN: 8806095575650

Descripción

Samsung MZ-V9S2T0. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

Especificaciones

NVMe	Si
Peso	9 g
Ancho	80,2 mm
Altura	80,2 mm
Interfaz	PCI Express 4.0
Profundidad	2,38 mm
Soporte TRIM	Si
Versión NVMe	2.0
SDD, capacidad	2 TB
Componente para	PC
Tipo de memoria	V-NAND TLC
Función DevSleep	Si
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Velocidad de lectura	7250 MB/s
Voltaje de operación	3,3 V
Velocidad de escritura	6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)	1000000 IOPS
Golpes en funcionamiento	1500 G
Encriptación de hardware	Si
Escritura aleatoria (4KB)	1350000 IOPS
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Consumo de energía (espera)	0,06 W
Factor de forma de disco SSD	M.2
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Consumo de energía (lectura)	4,6 W
Consumo de energía (escritura)	4,2 W
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Consumo eléctrico promedio (lectura)	4,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)	4,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)	5 mW

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